高中化學(xué)熔點(diǎn)的比較

一般來說，原子晶體>離子晶體>分子晶體；金屬晶體（除少數(shù)外）>分子晶體。

例如：金屬晶體的熔沸點(diǎn)有的很高，如鎢、鉑等；有的則很低，如汞、擦、絕等。

同類型晶體熔沸點(diǎn)高低的比較：

同一晶體類型的物質(zhì)，需要比較晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間的作用力，作用力越大，熔沸點(diǎn)越高。影響分子晶體熔沸點(diǎn)的是晶體分子中分子間的作用力，包括范德華力和氫鍵。

①組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，一般來說相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，熔沸點(diǎn)越高。

②組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，如果分子之間存在氫鍵，則分子之間作用力增大，熔沸點(diǎn)出現(xiàn)反常。有氫鍵的熔沸點(diǎn)較高。例如，熔點(diǎn)：HI>HBr>HF>HC1；沸點(diǎn)：HF>HI>HBr>HCl。

③相對分子質(zhì)量相同的同分異構(gòu)體，一般是支鏈越多，熔沸點(diǎn)越低。例如：正戊烷>異戊烷>新戊烷；互為同分異構(gòu)體的芳香烴及其衍生物，其熔沸點(diǎn)高低的順序是鄰>間>對位化合物。