砷化鎵

砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料，分子式GaAs。 立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu)，即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格，其晶格常數(shù)是5.6419A。室溫下禁帶寬度1.428eV，是直接帶隙半導(dǎo)體，熔點(diǎn)1238℃，質(zhì)量密度5.307g/cm3，電容率13.18。 砷化鎵單晶的導(dǎo)帶為雙能谷結(jié)構(gòu)，其最低能谷位于第一布里淵區(qū)中心，電子有效質(zhì)量是0.068m0(m0為電子質(zhì)量，見載流子)...