壓阻效應

所謂壓阻效應，是指當半導體受到應力作用時，由于應力引起能帶的變化，能谷的能量移動，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。它是C.S***在1954年對硅和鍺的電阻率與應力變化特性測試中發(fā)現(xiàn)的壓電效應：某些電介質(zhì)在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象，同時在它的兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷。當外力去掉后，它又會恢復到不帶電的狀態(tài)，這種現(xiàn)象稱為正壓電效應。 當作用力的方向改變時...

所謂壓阻效應，是指當半導體受到應力作用時，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)生變化的現(xiàn)象。 它是C.S***在1954年對硅和鍺的電阻率與應力變化特性測試中發(fā)現(xiàn)的。壓阻效應的強弱可以用壓阻系數(shù)π來表征。壓阻系數(shù)π被定義為單位應力作用下電阻率的相對變化。 壓阻效應有各向異性特征，沿不同的方向施加應力和沿不同方向通過電流，其電阻率變化會不相同。譬如：在室溫下測定N型硅時，沿（100）方向加應力...